电路如图所示，其核心器件 IC1 是 TOP221 三端高压开关集成电路，内部集成有电压型脉宽调制振荡器、基准电压源、误差放大器、高压启动限流电阻以及过热等保护电路；此外在芯片上还集成有耐压 700V 的 N 沟道功率场效应晶体管，其工作频率可达 100kHz，驱动功耗小，最大占空比达 70%，效率可达 90%。因此该开关电源外围元器件少、可靠性高。IC1 的漏极 D 接高压，源极 S 接零电位，控制极 C 与零电位之间接启动电容 C3，通常该电容值为 47μF；控制极 C 的输入电流大小将改变脉宽调制的占空比，当输入电流增加时占空比将减小。

控制电流来自高频开关变压器 T 的一个二次绕组 3、4，T 的铁氧体磁心体积仅 19mm×17mm×5mm，VD5 抑制反峰尖脉冲。IC1 外围电路的工作过程很简单：当输出电压升高时，IC1 的 C 极输入电流也会增加，输出脉冲占空比将减小，从而使输出电压降低。