晶体管测量仪电路

    图5-6(a)是一个简易晶体管测量仪电路。它可以测量pnp型和npn型小功率晶体三极管的集电极基极反向电流Icbo、穿透电流Iceo和共发射极电流放大系数β。    S1是双刀双掷开关，用作pnp型和npn型三极管的测量选择。扳动这个开关，能够把电源E1的正负极颠倒过来。S2是由S21、S22、S23、S24组成的四刀四掷开关。下面以pnp型三极管为例，对测量Icbo、Iceo和β的电路做些说明。    1．Icbo的测量    将S2转到1处，电路如图5-6(b)所示。这时候发射极是开路的，集电极接电源负极，基极接电源正极。电阻R3是限流电阻，以防电路接错或者由于插入已经击穿的晶体管而损坏电流表。电流表可以选用100~ 500μA挡。由于小功率锗管的Icbo大约是1~10 μA，硅管在1μA以下，所以电流表指针只有微小偏转。
    图5-6    晶体管元件测量电路    2．Iceo的测量    将S2转到2处，电路如图5-6(c)所示。这时候基极是开路的，集电极接电源负极，发射极接电源正极。电阻R4是限流电阻。小功率锗管的Iceo从几个微安到几百个微安，硅管的Iceo在几个微安以下。电流表可以选用100~ 500 μA挡。    3．卢的测量    先把S2转到3处，电路如图5-6(d)所示。这时候，电阻R2和可变电位器RP1串联成偏流电阻，调节RP1，可以使晶体管集电极电流从零点几毫安到几十毫安。电流表可以选用5～10mA挡。集电极电流不同，测得的β值是有变化的。可以根据晶体管的用途选用集电极电流，比如做变频、中放的，可以用0.5~ 1mA；做低放的，可以用1～2mA；做推挽的，可以用5~ 10mA等。    4．测基极电流增量    集电极电流调好后。把S2转到4处，电路如图5-6(e)所示。这时候，电源E2通过R5、RP2给电流表一个反向电流Ip，调节RP2可以使Ip=Ic，电流表的指针指零。    最后按下常开按钮开关S3，通过R1使基极得到基极电流增量△Ib。△Ib=6V/3MΩ=2mA。经过晶体管放大，集电极也获得集电极电流增量△Ic。这时候电流表的指针偏转，它的读数就是集电极电流增量△Ic，这样电流放大系数就可以从下式求得：    β=△Ic/△Ib    测量完了，先要把电流表改为5~10mA挡，以保护电流表，再把S2转回到1处，然后拔下三极管。