正夫人47系列电磁炉IGBT的特性

    绝缘双栅极晶体管(InsulatedGate Bipolar Transistor)简称IGBT，是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。

    目前，有用不同材料及工艺制作的IGBT，但它们均可被看成是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。

   IGBT有3个电极（如图11-2所示），分别称为栅极G（控制极或门极）、集电极C（漏极）及发射极E（源极）。

    图11-2    ICBT的电极

    从IGBT的下述特点中可看出，它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷，就是于高压大电流工作时，导通电阻大，器件发热严重，输出效率下降。

   IGBT的特性如下：

    ①电流密度大，是MOSFET的数十倍。

    ②输入阻抗高，栅驱动功率极小，驱动电路简单。

    ③低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVceo下，其导通电阻Rce(on)不大于MOSFET的Rds( on)的10%。

    ④击穿电压高，安全工作区大，在瞬态功率较高时不会受损坏。

    ⑤开关速度快，关断时间短，耐压1~1.8kV级的约1.2μs、600V级的约0.2μs，约为GTR的10%，接近于功率MOSFET；开关频率达100kHz，开关损耗仅为GTR的30%。

   IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体，是极佳的高速高压半导体功率器件。